Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

МЛЭ или MBE6 представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме…….

Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Бор — единственный элементарный полупроводник, расположенный левее IVA подгруппы в периодической системе. Структура его валентной оболочки — 2s2p1. В большинстве соединений он трехвалентен, поэтому распределение электронов по валентным орбиталям в…….

Образование центров новой фазы – основы материаловедения

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Механизм образования центров новой фазы может быть гомогенным или гетерогенным. Гомогенное образование центров новой фазы Гомогенным называется образование зародыша новой фазы в объеме исходной фазы, сопровождающееся образованием всей поверхности, ограничивающей…….

Возможные  механизмы  диффузии  в  твердых телах

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Для совершения элементарного акта диффузии атом должен преодолеть энергетический барьер, величина которого определяется энергией активации диффузии Q. Последняя зависит от прочности связи атомов в кристаллической решетке вещества. В зависимости от…….