Кристаллизация в неравновесных условиях – основы материаловедения

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Все, что до сих пор говорилось о фазовых превращениях, относилось к равновесным при данной температуре состояниям, то есть предполагалось, что скорость изменения температуры так мала, что при каждой температуре в…….

Основные группы полупроводниковых материалов

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

В настоящее время известно 104 химических элемента, из них 79 металлов и 25 неметаллов. Среди последних 13 элементов проявляют полупроводниковые, а остальные 12 — диэлектрические свойства (см. табл. 1.1). Но…….

Вторая группа методов выравнивания состава кристаллов (изменение условий выращивания)

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Выравнивание состава выращиваемого кристалла с помощью программного изменения условий роста можно построить исходя из двух принципов. Процессы, основанные на первом принципе, сводятся к программному изменению скорости вытягивания и вращения кристалла……..

Кристаллизационные методы очистки – основы материаловедения

Январь 5, 2007, Category: Основы материаловедения

Электрофизические свойства кристаллов определяются, как было выяснено в гл. 3, содержащимися в них структурными дефектами и примесями. Требование продолжительности и стабильности работы полупроводниковых приборов делает одной из важнейших задач технологии…….